SiC Substraat
Beskrywing
Silikonkarbied (SiC) is 'n binêre verbinding van Groep IV-IV, dit is die enigste stabiele vaste verbinding in Groep IV van die Periodieke Tabel, Dit is 'n belangrike halfgeleier.SiC het uitstekende termiese, meganiese, chemiese en elektriese eienskappe, wat dit die een van die beste materiale maak vir die maak van hoë-temperatuur, hoëfrekwensie en hoëkrag elektroniese toestelle, die SiC kan ook as 'n substraatmateriaal gebruik word vir GaN-gebaseerde blou lig-emitterende diodes.Tans is 4H-SiC die hoofstroomprodukte in die mark, en die geleidingstipe word in semi-isolerende tipe en N-tipe verdeel.
Eienskappe
| Item | 2 duim 4H N-tipe | ||
| Deursnee | 2 duim (50,8 mm) | ||
| Dikte | 350+/-25um | ||
| Oriëntering | van as 4.0˚ na <1120> ± 0.5˚ | ||
| Primêre plat oriëntasie | <1-100> ± 5° | ||
| Sekondêre woonstel Oriëntering | 90.0˚ CW vanaf Primêre Woonstel ± 5.0˚, Si Face up | ||
| Primêre plat lengte | 16 ± 2,0 | ||
| Sekondêre plat lengte | 8 ± 2,0 | ||
| Graad | Produksiegraad (P) | Navorsingsgraad (R) | Dummy graad (D) |
| Weerstand | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Mikropypdigtheid | ≤ 1 mikropype/ cm² | ≤ 1 0 mikropype/ cm² | ≤ 30 mikropype/cm² |
| Oppervlakkige skurfheid | Si gesig CMP Ra <0.5nm, C Face Ra <1 nm | NVT, bruikbare area > 75% | |
| TTV | < 8 um | < 10um | < 15 um |
| Buig | < ±8 um | < ±10um | < ±15um |
| Skerring | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Krake | Geen | Kumulatiewe lengte ≤ 3 mm | Kumulatiewe lengte ≤10mm, |
| Skrape | ≤ 3 skrape, kumulatief | ≤ 5 skrape, kumulatief | ≤ 10 skrape, kumulatief |
| Hex plate | maksimum 6 borde, | maksimum 12 borde, | NVT, bruikbare area > 75% |
| Politipe gebiede | Geen | Kumulatiewe oppervlakte ≤ 5% | Kumulatiewe oppervlakte ≤ 10% |
| Besoedeling | Geen | ||
